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IXTK 160N20
200
180
Fig. 7. Input Adm ittance
160
140
Fig. 8. Transconductance
160
140
120
100
80
120
100
80
60
T J = -40oC
25oC
125oC
60
40
20
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
40
20
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
320
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
280
240
200
160
120
9
8
7
6
5
4
V DS = 100V
I D = 80A
I G = 10mA
80
40
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.3
0.5
0.7 0.9
V S D - Volts
1.1
1.3
1.5
0
50
100
150 200 250 300
Q G - nanoCoulombs
350
400
450
100000
10000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
C iss
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
R DS(on) Limit
25μs
C oss
100
10ms
1ms
100μs
1000
100
C rss
10
T J = 150oC
T C = 25oC
DC
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
1
10
V D S - Volts
100
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
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IXTK180N15P 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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